GEN2000 MBE 系统
单次可生长23x3”, 14x4”, 7x6”或3x8”外延片；
最高生长温度可达1200℃；
最多可配置12个源炉；
自动传样；
提供行业内最低的晶片成本；
优异设计比同类系统少40%- 60%的占地面积；
最多可配置两个生长室并真空连接。
最高生长温度可达1200℃；
最多可配置12个源炉；
自动传样；
提供行业内最低的晶片成本；
优异设计比同类系统少40%- 60%的占地面积；
最多可配置两个生长室并真空连接。
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